В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 07:30 18.12.2025
- Сбер: Эффект от внедрения искусственного интеллекта в России по итогам года превысит полтриллиона рублей
- 07:20 18.12.2025
- Сбер наблюдает улучшение ситуации на рынке недвижимости
- 07:10 18.12.2025
- Рост корпоративного кредитного портфеля Сбера по итогам года составит 7-9%
- 07:00 18.12.2025
- Сбер ожидает дальнейшего снижения ставки ЦБ
- 22:34 17.12.2025
- Европарламент призвал к отмене внутренних границ ЕС для перемещения войск и военной техники
- 20:40 17.12.2025
- Мелони: Италия не намерена направлять своих солдат на Украину
- 19:40 17.12.2025
- Джеффри Сакс призвал канцлера ФРГ выучить историю
- 18:40 17.12.2025
- На предстоящем саммите ЕС вопроса об активах РФ на повестке дня не будет - Орбан
- 17:40 17.12.2025
- Почти 800 тыс. россиян установили самозапрет на выдачу новых сим-карт — Мишустин
- 17:28 17.12.2025
- Клиентам Билайна доступны бесплатные видеоконсультации на русском жестовом языке от Сбера
комментарии(0)