В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 15:22 11.04.2026
- Рост цен на топливо привел к росту воровства бензина и дизтоплива в Великобритании - СМИ
- 13:50 11.04.2026
- Россия и Украина провели обмен пленными
- 12:50 11.04.2026
- Зеленский: Украина будет соблюдать режим тишины...
- 11:03 11.04.2026
- СМИ назвали примерное время начала прямых переговоров СЩА и Ирана в Исламабаде
- 10:16 11.04.2026
- Делегации США и Ирана прибыли в столицу Пакистана
- 10:07 11.04.2026
- Если переговоры США и Ирана состоятся, то пройдут за один день - СМИ
- 09:30 11.04.2026
- Трамп собирается построить в США самую большую в мире триумфальную арку
- 09:00 11.04.2026
- Захватывать российские танкеры на Балтике Эстония не будет -главком ВМС
- 03:20 11.04.2026
- Космический корабль Orion после облета Луны благополучно вернулся на Землю
- 22:20 10.04.2026
- Из-за протестов более сотни заправок в Ирландии остались без топлива - СМИ
комментарии(0)