В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 12:55 22.02.2026
- При участии США "Северный поток" может возобновить работу - СМИ
- 12:20 22.02.2026
- Из-за ухода с рынка РФ европейские компании потеряли около €400 млрд - эксперт
- 11:50 22.02.2026
- На обращенной к Земле стороне Солнца исчезли все пятна - ученые
- 10:20 22.02.2026
- Китай разрабатывает ядерное оружие нового поколения - СМИ
- 10:10 22.02.2026
- Трамп требует уволить топ-менеджера Netflix, угрожая последствиями
- 09:50 22.02.2026
- Глобальное потепление вызвало рекордно снежную зиму в России - эксперт
- 09:35 22.02.2026
- Уиткофф надеется, что новые переговоры по Украине пройдут через три недели
- 20:15 21.02.2026
- Трамп: Я, как президент США, немедленно повышаю 10%-й мировой тариф до уровня в 15%
- 18:40 21.02.2026
- Туск и Орбан обменялись сообщениями в соцсети по поводу помощи ЕС Украине
- 17:20 21.02.2026
- WSJ рассказал, почему многие члены команды авианосца Gerald R. Ford «огорчены и злы»
комментарии(0)