В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 10.11.2025
- США приостановили антисирийские санкции, оставив в силе запрет на транзакции с РФ и Ираном
- 22:00 10.11.2025
- Операторы связи запустили период охлаждения для сим-карт
- 21:20 10.11.2025
- В ночь на 11 ноября Землю может накрыть сильная магнитная буря
- 20:40 10.11.2025
- В Госдуме опровергли планы отключения России от внешнего интернета
- 20:00 10.11.2025
- МОК запретит трансгендерам участвовать в женских соревнованиях на Олимпиаде
- 19:20 10.11.2025
- Положительное сальдо внешней торговли РФ за январь–сентябрь снизилось до $101,7 млрд — ФТС
- 19:19 10.11.2025
- Президент Белоруссии: Основные вооружения нам надо иметь свои
- 18:40 10.11.2025
- Толкнувшая девочку-подростка на пути в метро Москвы пенсионерка арестована
- 18:00 10.11.2025
- Восемь человек погибли при взрыве автомобиля в Нью-Дели — ТВ
- 17:32 10.11.2025
- Николя Саркози покинул парижскую тюрьму
комментарии(0)