В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 17:12 13.04.2026
- Семибалльные порывы ветра ожидаются в Москве и Подмосковье
- 17:00 13.04.2026
- Полиция Финляндии считает, что четыре найденных в стране БПЛА были украинскими — Yle
- 16:32 13.04.2026
- Президент Индонезии отметил положительный вклад России в мировую политику
- 16:12 13.04.2026
- Предложение России принять уран из Ирана не было востребовано — Песков
- 16:02 13.04.2026
- Более 2 миллиардов рублей пожертвовали россияне через платформу СберВместе
- 16:00 13.04.2026
- В Саратове откажутся от торжественного прохождения войск и салюта на 9 Мая — губернатор
- 15:32 13.04.2026
- Венгрия сделала свой выбор, РФ его уважает — Песков
- 15:12 13.04.2026
- Папа Римский после критики президента США заявил, что не боится его
- 15:00 13.04.2026
- Всего зафиксировано 6 558 нарушений Украиной режима перемирия — МО РФ
- 14:32 13.04.2026
- Ежегодно почти 14 тыс. человек погибают на дорогах — Мурашко
комментарии(0)