В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 14:32 20.03.2026
- РФ интересно, зачем ЕС напрямую вовлекается в конфликт на Украине — Песков
- 14:12 20.03.2026
- РФ на связи с Кубой и обсуждает варианты помощи республике — Песков
- 14:00 20.03.2026
- ЦБ РФ понизил ключевую ставку до 15% годовых
- 13:32 20.03.2026
- Муфтий Крганов попросил короля Саудовской Аравии созвать совет миротворчества
- 13:12 20.03.2026
- Goldman Sachs допускает сохранение высоких цен на нефть в 2027 году — CNN
- 13:00 20.03.2026
- Глава афганского Генштаба обвинил Пакистан в нарушении режима прекращения огня
- 12:32 20.03.2026
- Глава Минтранса РФ заявил об острой необходимости современного гражданского морского флота
- 12:20 20.03.2026
- В приграничной с РФ Павлодарской области Казахстана вакцинируют весь скот — вице-премьер
- 12:05 20.03.2026
- Роспотребнадзор ежедневно проверяет уровень радиации в Дагестане из-за ситуации в Иране
- 12:00 20.03.2026
- МВД РФ выявило хищение 68 млн рублей при исполнении государственного оборонного заказа
комментарии(0)