В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:00 18.04.2026
- Мадьяр не намерен поддерживать финансирование Украины — портал
- 20:30 18.04.2026
- В США предостерегли Иран от шантажа угрозами очередного перекрытия Ормузского пролива
- 20:00 18.04.2026
- АдГ лидирует в рейтинге политических партий ФРГ, увеличив отрыв от ХДС/ХСС до 3 п. п.
- 19:30 18.04.2026
- В Германии в 2025 г. отстрелили почти 3 тыс. «радиоактивных» кабанов — Bild
- 19:00 18.04.2026
- Переговоры между Ираном и США могут пройти в Исламабаде 26 апреля — ТВ
- 18:30 18.04.2026
- В Киеве неизвестный убил четырех человек и взял заложников
- 18:00 18.04.2026
- Армия Израиля заявила об ударах по Ливану, обвинив в нарушении перемирия «террористов»
- 17:00 18.04.2026
- Иран пока не согласился на следующий раунд переговоров с США — СМИ
- 16:00 18.04.2026
- Потери ВСУ за сутки составили порядка 1 145 военнослужащих в зоне СВО
- 15:00 18.04.2026
- Премьер Испании выступил за реформирование ООН
комментарии(0)