В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 23:10 23.04.2026
- Мужчина совершил нападение на врачей в больнице в Махачкале
- 21:45 23.04.2026
- Сожжения флага Турции в центре Еревана Пашинян считает безответственным и недопустимым
- 20:15 23.04.2026
- Премьер Бельгии: Экономические последствия войны США с Ираном очень велики, особенно для нас
- 19:30 23.04.2026
- Европа с 2027 вводит запрет на использование СПГ-терминалов российскими компаниями
- 19:16 23.04.2026
- Целевой набор в вузы соотнесут с кадровой потребностью
- 18:45 23.04.2026
- Еврокомиссар по обороне обещает Киеву «больше дронов, боеприпасов и ракет»
- 18:25 23.04.2026
- Песков прокомментировал информацию о военных учениях Польши и Франции
- 17:40 23.04.2026
- Общее число танкеров в черном списке ЕС достигло 632
- 17:12 23.04.2026
- Сбои в работе интернета в РФ связаны с предотвращением угроз терроризма — Путин
- 17:00 23.04.2026
- Часть угольных компаний в РФ могут поглотить или ликвидировать из-за кризиса - министр энергетики РФ
комментарии(0)