В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 13:50 25.12.2025
- Предложения к мирному плану по Украине переданы и анализируются - Песков
- 13:30 25.12.2025
- В 2026 году в Москву привезут терракотовую армию из Китая
- 13:20 25.12.2025
- Повышение налога на прибыть дало дополнительный доход в размере 1,7-1,75 трлн рублей - Минфин РФ
- 12:50 25.12.2025
- Более 40% украинцев разговаривают дома на русском языке - опрос
- 12:45 25.12.2025
- Угрозу военного конфликта Тайваня с Китаем создают поставки американских вооружений - МО КНР
- 11:30 25.12.2025
- В Болгарии вновь осквернили братскую могилу советских солдат
- 11:20 25.12.2025
- Из-за переименования в Кеннеди-центре отменен рождественский джазовый концерт
- 10:20 25.12.2025
- На юге Москвы горит бизнес-центр «Варшавская плаза»
- 10:15 25.12.2025
- Сбер удерживает первое место в рейтинге российских брендов
- 10:10 25.12.2025
- Концу года уровень инфляции может составить не более 6% - Новак
комментарии(0)