В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 14:32 07.04.2026
- Бахрейн изъял пункт о применении силы из проекта резолюции по Ормузскому проливу — AFP
- 14:12 07.04.2026
- Венгрия заключит соглашение о закупке нефти у США во время визита Вэнса — Bloomberg
- 14:00 07.04.2026
- Россия и США обсуждают продление работы МКС до 2030 года — Баканов
- 13:32 07.04.2026
- ВСУ потеряли за сутки в зоне СВО около 1 270 военных
- 13:12 07.04.2026
- Добыча газа в Ираке сократилась вдвое
- 13:00 07.04.2026
- В интересах Польши не участвовать в авантюре США на Ближнем Востоке — вице-спикер Сейма
- 12:32 07.04.2026
- Шохин допустил замедление роста экономики РФ до нуля
- 12:20 07.04.2026
- Порядка 10 человек ранены из-за артиллерийского обстрела ВСУ школы в Запорожской области
- 12:05 07.04.2026
- Пезешкиан заявил, что в числе 14 млн иранцев готов отдать жизнь за свою страну
- 12:00 07.04.2026
- Во Франции скоростной поезд столкнулся с военным грузовиком
комментарии(0)