В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 27.03.2026
- Американскому лидеру наскучила военная операция против Ирана — ТВ
- 22:00 27.03.2026
- США не понимают, почему Зеленский лжет о содержании мирных переговоров — Рубио
- 21:20 27.03.2026
- США уведомили союзников о предстоящих перебоях в поставках оружия Украине — Politico
- 20:40 27.03.2026
- Электронная почта главы ФБР взломана хакерами — Reuters
- 20:00 27.03.2026
- Вэнс может стать основным переговорщиком с Ираном со стороны США — Axios
- 19:20 27.03.2026
- Носки с Трампом, как подарили депутатам ГД в США, продаются на маркетплейсах
- 18:40 27.03.2026
- Критика от лидера США не лишила власти ФРГ сна, заявили в кабмине Германии
- 18:00 27.03.2026
- Минобороны Индии сообщило, что одобрило закупку дополнительных российских систем С-400
- 17:32 27.03.2026
- Медведев напомнил Каллас, что ее родная Эстония в прошлом была частью России
- 17:12 27.03.2026
- Отношения с ЕС испорчены не по вине РФ, и события на Украине здесь ни при чем — Путин
комментарии(0)