В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:10 27.12.2025
- Киев и сегодня не спешит решать этот конфликт мирными средствами - Путин
- 20:26 27.12.2025
- Российские военные освободили Димитров в ДНР и Гуляйполе в Запорожской области
- 16:45 27.12.2025
- Алиханов сообщил по поводу заказов на Ту-214, что «есть ряд, скажем так, договоренностей»
- 15:15 27.12.2025
- Непогода на северо-востоке США спровоцировала транспортный коллапс
- 14:48 27.12.2025
- ОПГ, состоявшая из депутатов Верховной рады, была разоблачена силами НАБУ
- 12:15 27.12.2025
- Временный запрет на экспорт бензина и других видов топлива продлен правительством РФ
- 11:15 27.12.2025
- Красная площадь в Москве будет закрыта в новогоднюю ночь, кроме катка - МВД
- 09:30 27.12.2025
- В Китае принята новая редакция Закона о внешней торговле
- 09:20 27.12.2025
- В субботу, 27 декабря, синоптики прогнозируют в Москве снег и температуру воздуха около нуля
- 09:10 27.12.2025
- Белый дом официально назвал время и место встречи Трампа с Зеленским
комментарии(0)