В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:57 20.03.2026
- Москва закроет почти всю потребность России в аккумуляторах — Собянин
- 21:50 20.03.2026
- Ради власти Санду разрывает соглашения с СНГ - Додон
- 20:30 20.03.2026
- Трамп заявил, что доверяет Путину больше, чем лидерам стран ЕС - интервью
- 20:05 20.03.2026
- На выходных в Москве будет апрельская погода
- 18:50 20.03.2026
- НАТО эвакуирует войска из Ирака
- 17:40 20.03.2026
- Американский актер Чак Норрис умер в возрасте 86 лет
- 17:12 20.03.2026
- Венгрия объявит действия Киева гостерроризмом в случае взрыва «Турецкого потока» — Орбан
- 17:07 20.03.2026
- На склонах курорта «Манжерок» определены чемпионы России по горнолыжному спорту
- 17:00 20.03.2026
- ВМС Франции задержали танкер Deyna под флагом Мозамбика, шедший из РФ — префектура
- 16:32 20.03.2026
- Существует угроза распространения сахарного диабета до уровня эпидемии - Голикова
комментарии(0)