В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 23:23 20.01.2026
- Курс лекций «Арктический странник: белый медведь» уже доступен всем желающим
- 22:40 20.01.2026
- Встреча Дмитриева, Уиткоффа и Кушнера в Давосе длилась более двух часов
- 22:00 20.01.2026
- Соглашение между ЕС и «Меркосур» не будет ратифицировано в Венгрии — Орбан
- 21:20 20.01.2026
- Лукашенко опроверг сообщения о взносах в $1 млрд для членов «Совет мира»
- 20:40 20.01.2026
- Европа готова быть «довольным вассалом» США и не готова — «несчастным рабом» — Де Вевер
- 20:00 20.01.2026
- Европарламент приостановил ратификацию торгового соглашения с США — AFP
- 19:20 20.01.2026
- Тема Гренландии вызвала беспрецедентную деградацию отношений США с союзниками — СМИ
- 18:40 20.01.2026
- Женщина и трое детей погибли при пожаре на Кубани
- 18:00 20.01.2026
- Молдавия стала практически страной-банкротом и находится на грани самоуничтожения — Шор
- 17:32 20.01.2026
- Украинской энергетике необходимо новое оборудование на $1 млрд — министр
комментарии(0)