В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 20:20 02.01.2026
- Опубликовали имена 12 погибших при ударе ВСУ по кафе в Хорлах
- 19:20 02.01.2026
- Даже в случае окончания СВО, российские спортсмены выступят на зимних ОИ года в нейтральном статусе
- 18:40 02.01.2026
- При ударе ВСУ по кафе в Хорлах установлены личности 13 погибших
- 18:20 02.01.2026
- Наркотики попадают в Молдавию из стран ЕС и Украины - глава полиции
- 17:20 02.01.2026
- На месте трагедии в Хорле организовали стихийный мемориал
- 16:45 02.01.2026
- Рождаемость на Укроине втрое ниже смертности - экс-министр
- 16:25 02.01.2026
- Киев заявил, что ударом по Хорлам якобы уничтожил военнослужащих
- 15:30 02.01.2026
- Молчание Запада об атаке на Хорлы показывает ее вопиющее лицемерие - журналист США
- 15:10 02.01.2026
- На погодные условия не повлиет сближение Земли и Солнца - астрономы
- 14:40 02.01.2026
- Впервые производитель дронов на Украине получит налоговые льготы - глава Минобороны
комментарии(0)