В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:20 27.02.2026
- Трамп хочет отменить санкции против РФ в случае сделки по Украине
- 21:50 27.02.2026
- На фоне возможных выборов Зеленский перешел к агрессивной риторике и хамству - Сальдо
- 20:40 27.02.2026
- Программу лояльности «Семейная команда» теперь действует на заправках «Башнефти»
- 20:10 27.02.2026
- Европа больше не является приоритетом для США - президент Финляндии
- 19:25 27.02.2026
- Высадку на Луну в рамках миссии Artemis 3 отменили
- 17:58 27.02.2026
- В Иркутске запустили единую телемедицинскую сеть для врачей
- 17:55 27.02.2026
- ГигаЧат приобрел новые компетенции в вопросах детского здоровья
- 17:40 27.02.2026
- Премьер Швеции утверждает, что БПЛА близ авианосца «Шарль де Голль» был российским
- 17:12 27.02.2026
- Цена нефти Brent на бирже ICE превысила $73 за баррель
- 17:00 27.02.2026
- Фицо не исключает умышленное повреждение трубопровода «Дружба» Украиной в будущем
комментарии(0)