В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 19.01.2026
- Военкоматы Украины на взятках зарабатывают свыше 2 млрд евро в год — депутат Рады
- 22:00 19.01.2026
- Молдавия выйдет из СНГ после денонсации ключевых соглашений — глава МИД
- 21:20 19.01.2026
- Трамп обвинил Норвегию в полном контроле над присуждением Нобелевской премии мира
- 20:40 19.01.2026
- Президент Болгарии объявил об отставке
- 20:00 19.01.2026
- Объем ФНБ на 1 января составил 13,415 трлн руб.
- 19:20 19.01.2026
- Нефтегазовые доходы бюджета РФ в 2025 г. снизились на 23,8% — до 8,48 трлн руб. — Минфин
- 19:17 19.01.2026
- Премьер-министр Японии заявила, что собирается 23 января распустить нижнюю палату парламента
- 18:40 19.01.2026
- Суд арестовал начальника учебного центра МВД по Коми после ЧП со взрывом
- 18:15 19.01.2026
- Сбер провел трехдневный выезд для студентов со всей страны
- 18:00 19.01.2026
- Ненефтегазовые доходы бюджета РФ в 2025 г. выросли на 12,6% — до 28,81 трлн руб. — Минфин
комментарии(0)