В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 18:58 14.04.2026
- Сбер запустил программу поддержки бизнеса в Дагестане и Чечне для пострадавших от ЧС
- 18:54 14.04.2026
- Российские исследователи нашли способ проверять качество моделей ИИ без размеченных данных
- 18:26 14.04.2026
- После мартовского рейда в регионах РФ было принято порядка 6 тыс решений о выдворении – МВД России
- 17:40 14.04.2026
- В Минпросвещения РФ уверены в пользе обязательных школьных дежурств
- 17:12 14.04.2026
- МВФ улучшил прогноз темпов роста ВВП РФ в 2026 году до 1,1%
- 17:00 14.04.2026
- Зеленский заявил, что ВСУ ждут возвращения уехавших украинцев
- 16:32 14.04.2026
- Вучич ожидает тяжелейшего со времен Великой депрессии мирового экономического кризиса
- 16:12 14.04.2026
- ЕК отложила выделение Киеву первых траншей из 90 млрд евро на второе полугодие 2026 года
- 16:00 14.04.2026
- США увеличат группировку кораблей в Аравийском море до 20
- 15:32 14.04.2026
- РФ едва ли будет другом Венгрии, но надеется на ее прагматичность — Песков
комментарии(0)