В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 10:05 10.03.2026
- Трамп признал, что они с Вэнсом идейно разошлись в ситуации вокруг Ирана
- 10:00 10.03.2026
- Иран атаковал авиабазу США в Бахрейне, утверждается, что на ней возник пожар
- 09:32 10.03.2026
- Цена нефти Brent на бирже ICE опустилась ниже $90 за баррель после скачка до $119
- 09:20 10.03.2026
- Президент США назвал очень хорошими переговоры с Путиным
- 09:05 10.03.2026
- Президент США заявил, что военные цели операции в Иране можно считать достигнутыми
- 09:00 10.03.2026
- Над регионами России за ночь сбили 17 украинских БПЛА
- 22:45 09.03.2026
- Президент США позвонил президенту России, чтобы обсудить ряд крайне важных тем… - Ушаков
- 21:05 09.03.2026
- США предложили Украине отложить встречу из-за ситуации вокруг Ирана - Зеленский
- 20:30 09.03.2026
- Цены на нефть после резкого взлета опустились ниже $100 за баррель
- 20:00 09.03.2026
- СМИ считают, что США перебрасывает из Южной Кореи на Ближний Восток системы Patriot и THAAD
комментарии(0)