В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 23:15 23.01.2026
- Для прекращения поставок нефти США могут ввести морскую блокаду Кубы - СМИ
- 23:05 23.01.2026
- Фидан сообщил, что стороны конфликта на Украине приблизились к миру
- 22:10 23.01.2026
- Вопреки нейтралитету, Молдавия подписала военное соглашение с Украиной - Додон
- 21:40 23.01.2026
- Зеленский сообщил, что в Абу-Даби обсуждаются параметры завершения конфликта
- 21:30 23.01.2026
- Минобороны Молдавии планиурет увелиить чиленность армии на 30%
- 21:15 23.01.2026
- Проблемы судоходства в мире не решить только военным сопровождением - глава ИМО
- 20:20 23.01.2026
- Трамп понимает, что ЕС единственная преграда для переговоров с РФ и Украиной - Водолацкий
- 19:45 23.01.2026
- Первые раунды по Украине с участием РФ и США будут в максимально закрытом режиме
- 19:30 23.01.2026
- В Абу-Даби начались переговоры с участием РФ, США и Украины - МИД ОАЭ
- 18:50 23.01.2026
- В РФ на 50% снизилось число крединов на строительство и покупку домов
комментарии(0)