В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 15:32 10.04.2026
- Иран откроет Ормузский пролив после окончания войны с США и Израилем — эмиссар
- 15:23 10.04.2026
- Мэр Москвы: В 70 районах в рамках реновации обновили инженерную инфраструктуру
- 15:15 10.04.2026
- Сбер создал полнокупольный фильм о первом полете человека в космос
- 15:13 10.04.2026
- Собянин: В Едином центре поддержки участников СВО оказали более 500 тысяч услуг
- 15:12 10.04.2026
- Ядерный щит на протяжении многих лет надежно обеспечивает безопасность России — Путин
- 15:00 10.04.2026
- Кремль переадресовал в МО вопросы о подлодках РФ в Атлантике
- 14:32 10.04.2026
- Мир может наступить сегодня, если Зеленский возьмет ответственность — Песков
- 14:12 10.04.2026
- США и ЕС близки к сделке, координирующей закупки ключевых минералов — Bloomberg
- 14:00 10.04.2026
- РФ хочет не перемирия с Украиной, а прочного, устойчивого мира — Песков
- 13:32 10.04.2026
- Франция проявляет интерес к урановым месторождениям Ботсваны
комментарии(0)