В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 18:20 15.03.2026
- Глава МИД Ирана: Хорошего опыта общения с американцами у нас нет...
- 17:05 15.03.2026
- Глава Минэнерго США рассказал, когда, по его мнению, конфликт на Ближнем Востоке может закончится
- 15:40 15.03.2026
- В Норвегии не будет размещено ядерное оружие - премьер Йонас Гар Стёре
- 12:25 15.03.2026
- Референдум по конституции Казахстана признан состоявшимся
- 11:30 15.03.2026
- Токаев рассказал, когда пройдут следующие выборы президента Казахстана
- 11:15 15.03.2026
- Власти Украины не пустили венгерских специалистов осмотреть нефтепровод «Дружба»
- 10:24 15.03.2026
- Трамп теряет интерес к переговорам по Украине – источники FT
- 09:30 15.03.2026
- США намерены восстановить нефтяные санкции против РФ после окончания ближневосточного кризиса
- 09:15 15.03.2026
- Гран-при в Бахрейне и Саудовской Аравии гонок «Формулы-1» отменены
- 09:00 15.03.2026
- Трамп: Иран хочет заключить сделку. Но я не хочу этого...
комментарии(0)