В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 13:32 15.12.2025
- ВСУ потеряли за сутки в зоне СВО около 1 480 военных — МО РФ
- 13:20 15.12.2025
- Документ о невступлении Киева в НАТО — краеугольный камень переговоров, заявил Песков
- 13:05 15.12.2025
- ВС РФ освободили Песчаное в Днепропетровской области
- 13:00 15.12.2025
- Зеленский в Берлине отказался от экономической зоны в Донбассе и отвода войск — Politico
- 12:32 15.12.2025
- Польские военные концерны завершают год с рекордной прибылью — СМИ
- 12:20 15.12.2025
- Каллас признала, что членство Украины в НАТО больше не обсуждается
- 12:05 15.12.2025
- В Нигерии террористы похитили из церкви по меньшей мере 15 прихожан — СМИ
- 12:00 15.12.2025
- В Петербурге девятиклассник ранил ножом учительницу, она госпитализирована
- 11:32 15.12.2025
- Евросоюзу «все более сложно» договориться об экспроприации активов РФ — Каллас
- 11:20 15.12.2025
- Трамп пообещал защищать еврейский народ от внешних нападок
комментарии(0)