В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:20 06.02.2026
- На фоне сокращения финансирования более 1,2 тыс. сотрудников ВОЗ уволены
- 20:45 06.02.2026
- Проводить в США переговоры по Украине не планируется - Песков
- 19:28 06.02.2026
- Сбер представил Green-VLA – открытое руководство по созданию архитектуры управления роботами
- 19:15 06.02.2026
- Эрмитаж внедряет цифровые проекты с ИИ осторожно
- 19:14 06.02.2026
- Московская биржа отметила вклад "Роснефти" в устойчивое развитие
- 18:35 06.02.2026
- За январь дефицит бюджета РФ предварительно составил 1,7 трлн руб. — Минфин
- 17:40 06.02.2026
- Еврокомиссия представила 20-й пакет санкций и призвала страны ЕС немедленно утвердить их
- 17:35 06.02.2026
- ГигаЧат стал персональным олимпийским гидом для желающих узнать о спорте больше
- 17:12 06.02.2026
- Охрана убитого сына Каддафи Сейфа аль-Ислама покинула его за 1,5 часа до нападения — ТВ
- 17:00 06.02.2026
- Около 95% раненых российских военных удается возвращать в строй — Мантуров
комментарии(0)