В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 19:30 01.04.2026
- По данным опроса The Economist/YouGov, 58% участников выражают недовольство Трампом на посту президента
- 17:40 01.04.2026
- С российского Су-25 в Киргизии случайно упали два учебных боеприпаса
- 17:37 01.04.2026
- Собянин: Первый участок Рублево-Архангельской линии будет готов в этом году
- 17:12 01.04.2026
- США в течение 7 лет увеличат втрое производство головок для ракет к ЗРК Patriot — Пентагон
- 17:00 01.04.2026
- Заявлениям США о переговорах верить нельзя — посол Ирана в РФ
- 16:32 01.04.2026
- Пентагон ведет переговоры с Данией о доступе к трем базам в Гренландии — NYT
- 16:12 01.04.2026
- Грузовик провалился под лед в Приамурье, три человека пропали — МЧС
- 16:00 01.04.2026
- ВСУ за сутки потеряли около 1 315 военных на всех участках СВО
- 15:32 01.04.2026
- Трамп назвал НАТО «бумажным тигром»
- 15:12 01.04.2026
- ВС РФ взяли под контроль Верхнюю Писаревку в Харьковской области и Бойково в Запорожье
комментарии(0)