В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 13:00 19.02.2026
- В РФ только 50% работодателей смогут профинансировать пребывание трудовых мигрантов
- 12:32 19.02.2026
- Пропавшая на Валааме девушка обнаружена погибшей
- 12:20 19.02.2026
- В 2025 году из РФ за нарушения выдворены 72 тыс. иностранцев — глава МВД России
- 12:05 19.02.2026
- Цена нефти Brent на бирже ICE превысила $71 за баррель
- 12:00 19.02.2026
- Фицо заявил, что шантаж Словакии с поставками нефти не сблизит Украину с ЕС
- 11:32 19.02.2026
- Мужчина подорвал гранату в Ростовской области при задержании, ранены двое полицейских
- 11:20 19.02.2026
- Экс-президент Южной Кореи приговорен к пожизненному заключению по делу о мятеже
- 11:05 19.02.2026
- США заставили Европу «проснуться», подняв вопрос ее обороны — постпред при ЕС
- 11:00 19.02.2026
- Доля безналичных платежей в РФ в 2025 г. достигла 88%
- 10:55 19.02.2026
- В Сбере искусственный интеллект автономно отрабатывает 70% киберинцидентов
комментарии(0)