В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:00 04.04.2026
- «Альтернатива для Германии» вновь возглавила рейтинг популярности политических партий ФРГ
- 20:30 04.04.2026
- В США задержали родственниц убитого иранского генерала Сулеймани
- 20:00 04.04.2026
- Сумма ущерба от паводков в Чечне и Дагестане превысит 1 млрд руб. — полпред
- 19:30 04.04.2026
- Конфликт вокруг Ирана зашел в геостратегический тупик — Эрдоган
- 19:00 04.04.2026
- ВСУ переносят полигоны и учебные центры в «безопасные районы» — Сырский
- 18:30 04.04.2026
- Иран разрешил судам с гуманитарными грузами проход через Ормузский пролив
- 18:00 04.04.2026
- ВСУ за сутки потеряли в зоне СВО порядка 1 160 солдат
- 17:00 04.04.2026
- Внутри НАТО сейчас больше напряженности, чем когда-либо — глава Минобороны Бельгии
- 16:00 04.04.2026
- Очередной удар нанесен по территории вблизи АЭС «Бушер» в Иране
- 15:00 04.04.2026
- Наступая у Рай-Александровки, силы ВС РФ выдавили ВСУ из Липовки в ДНР — Марочко
комментарии(0)