В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 19:30 21.01.2026
- В Индонезии обнаружен самый древний на данный момент пример наскальной живописи
- 19:05 21.01.2026
- Подход к налогам в ряде отраслей малого бизнеса надо пересмотреть, иначе «налоги не с кого будет собирать» - Нечаев
- 18:49 21.01.2026
- Трамп: Уиткофф невероятно справляется с этим, у нас не будет третьей мировой войны
- 18:30 21.01.2026
- США займутся сокращением наркотрафика по суше - Трамп
- 18:25 21.01.2026
- Трамп: НАТО относится к Соединенным Штатам Америки очень несправедливо
- 17:40 21.01.2026
- США применили в Венесуэле доселе невиданное оружие, утверждает Трамп
- 17:30 21.01.2026
- Трамп заявил, что США не должны заниматься Украиной, это дело Европы
- 17:12 21.01.2026
- В подконтрольном Киеву Запорожье начались перебои со светом, в городе масштабный пожар
- 17:00 21.01.2026
- Путин планирует завтра встречу с Уиткоффом — Песков
- 16:32 21.01.2026
- ГД запрещает депортацию иностранцев, воевавших в составе ВС РФ
комментарии(0)