В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 13:32 13.02.2026
- Трое пострадавших в Волгоградской области после атаки БПЛА находятся в реанимации
- 13:12 13.02.2026
- Новый раунд переговоров РФ, США и Украины пройдет на следующей неделе — Песков
- 13:00 13.02.2026
- Украина получит от Запада вооружения на $38 млрд в 2026 году — Минобороны
- 12:32 13.02.2026
- В США рекордные 28% мигрантов выбрали добровольную депортацию в 2025 году
- 12:21 13.02.2026
- Историк Рой Медведев умер на 101-м году жизни
- 12:05 13.02.2026
- Столтенберг выступил за переговоры с Россией по контролю над ядерным вооружением
- 12:00 13.02.2026
- США не дадут Украине гарантии безопасности, пока та не заключит мир с РФ — Politico
- 11:32 13.02.2026
- Около полумиллиона домохозяйств на юго-западе Франции остаются без света после шторма
- 11:20 13.02.2026
- Денежная база в России выросла за неделю на 83,5 млрд рублей
- 11:05 13.02.2026
- Электронный доступ судов к базам ЗАГС заменит миллион бумажных запросов — Суддеп
комментарии(0)