В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 10:30 21.03.2026
- ВВП Аргентины вырос на 4,4% в 2025 году
- 10:30 21.03.2026
- Капитализация мировых авиакомпаний упала на $53 млрд из-за ситуации вокруг Ирана — FT
- 10:00 21.03.2026
- Израильская армия наступает на четырех направлениях на юге Ливана — СМИ
- 09:30 21.03.2026
- Трамп допустил возможность скорого завершения операции против Ирана
- 09:00 21.03.2026
- ФБР утверждает, что выявило связанных с разведкой РФ лиц, взламывавших мессенджеры в США
- 08:50 21.03.2026
- Два человека пострадали в результате атаки БПЛА в Саратове - губернатор
- 08:40 21.03.2026
- Взрывы прогремели в центре, на востоке и севере Тегерана — ТВ
- 08:30 21.03.2026
- За ночь над регионами РФ сбито 283 украинских БПЛА
- 21:57 20.03.2026
- Москва закроет почти всю потребность России в аккумуляторах — Собянин
- 21:50 20.03.2026
- Ради власти Санду разрывает соглашения с СНГ - Додон
комментарии(0)