В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 10.03.2026
- CBS утверждает, что разведка США якобы получила данные о минировании Ормузского пролива
- 22:00 10.03.2026
- Украина уже не рассчитывает на получение новых систем Patriot, признал Зеленский
- 21:20 10.03.2026
- Илон Маск вновь возглавил рейтинг богатейших людей мира по версии Forbes
- 20:40 10.03.2026
- Иран пригрозил ответными атаками на гражданскую инфраструктуру
- 20:15 10.03.2026
- Для подготовки аналитики в 2026 году в ЕС собираются создать свою платформу на базе ИИ
- 20:00 10.03.2026
- В результате ракетного удара ВСУ по Брянску есть погибшие
- 19:58 10.03.2026
- Эксперты напомнили о схемах, с помощью которых мошенники толкают россиян на преступления
- 19:45 10.03.2026
- В Японии появится новый тип ударного вооружения большой дальности
- 19:20 10.03.2026
- В Туве в ДТП с участием машин и лошади погибли три человека
- 19:13 10.03.2026
- Рада вновь не смогла проголосовать за законопроект о налогообложении цифровых платформ
комментарии(0)