В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 10:15 01.03.2026
- Погибли министр обороны Ирана и начальник генштаба – гостелевидение Ирана
- 09:31 01.03.2026
- Боевые действия на Ближнем Востоке привели к закрытию неба целого ряда стран, включая ОАЭ, Катар и др.
- 09:25 01.03.2026
- Иранские СМИ сообщили о гибели командующего Корпусом стражей Исламской революции
- 09:17 01.03.2026
- Информацию о гибели аятоллы Али Хаменеи подтвердило государственное ТВ Ирана
- 09:15 01.03.2026
- США будут наносить удары по Ирану еще несколько дней - Трамп
- 09:00 01.03.2026
- У Трампа «есть ощущение», что данные о смерти аятоллы Али Хаменеи «правильные» - СМИ
- 21:00 28.02.2026
- Иран считает удары США и Израиля объявлением войны — представитель МИД
- 20:30 28.02.2026
- КСИР закрыл Ормузский пролив для прохода судов после нападения на Иран — генерал
- 20:00 28.02.2026
- ВС РФ освободили Горькое и Нескучное в зоне СВО
- 19:30 28.02.2026
- Йеменское движение «Ансар Аллах» (хуситы) объявило о возобновлении ударов по Израилю
комментарии(0)