В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 18:30 18.03.2026
- Цена на нефть приближается к 110 долларам за баррель
- 17:40 18.03.2026
- Орбан считает, что на смену либеральному миропорядку приходит локальный патриотизм
- 17:37 18.03.2026
- Сбер и МФТИ открывают кафедру для тех, кто хочет создавать искусственный интеллект будущего
- 17:12 18.03.2026
- Патрушев назвал беспрецедентной кампанию против флота, перевозящего грузы из РФ
- 17:00 18.03.2026
- Россия серьезно недокапитализирована на сегодняшний день — Хуснуллин
- 16:32 18.03.2026
- Польша инвестирует более $270 млрд в энергетику — Туск
- 16:12 18.03.2026
- Украине предстоит столкнуться с дефицитом ракет для ЗРК Patriot — Зеленский
- 16:00 18.03.2026
- Кремль согласен, что Стармер — не Черчилль, а Макрон — не де Голль
- 15:32 18.03.2026
- Фицо заявил, что нет никаких признаков повреждения нефтепровода «Дружба»
- 15:12 18.03.2026
- Украина — второстепенная проблема, ослабляющая ЕС — Орбан
комментарии(0)