В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 18:00 02.03.2026
- Супруга верховного лидера Ирана Али Хаменеи умерла из-за полученных ранений — ТВ
- 17:34 02.03.2026
- За 15 лет «Роснефть» организовала 64 экспедиции по изучению Арктики
- 17:32 02.03.2026
- Атаковано еще одно судно, пытавшееся пройти через Ормузский пролив — Tasnim
- 17:12 02.03.2026
- Цена газа в Европе превысила $500 на фоне остановки выпуска СПГ Катаром
- 17:00 02.03.2026
- Триумфаторов XIV Зимних спортивных игр «Роснефти» определили на олимпийских стадионах Сочи
- 17:00 02.03.2026
- Куба станет следующей целью США после Ирана, «ее дни сочтены» — сенатор Грэм
- 16:32 02.03.2026
- Иран после нападения США и Израиля в состоянии «полномасштабной войны» — Арагчи
- 16:24 02.03.2026
- Сбер и Arive Makeup превратили банковскую карту в бьюти-аксессуар
- 16:22 02.03.2026
- Сбер помогает правительству РФ с искусственным интеллектом
- 16:12 02.03.2026
- Комплекс зданий посольства США в Кувейте подвергся атаке БПЛА — NYT
комментарии(0)