В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 27.10.2025
- Военная помощь от западных партнеров Украине сократилась на 45% в этом году — депутат
- 22:30 27.10.2025
- Аудитория мессенджера Max составила 50 млн пользователей
- 22:00 27.10.2025
- Житель Запорожской области задержан по подозрению в переводах денег украинским спецслужбам
- 21:20 27.10.2025
- Автомобиль насмерть сбил двух детей на тротуаре на Урале, еще один ребенок в реанимации
- 20:50 27.10.2025
- На Балтике обнаружили рекордный самородок янтаря
- 20:40 27.10.2025
- Два человека погибли в результате опрокидывания плавучего крана в Севастополе — СК
- 20:20 27.10.2025
- Гражданам предлагают извещать военкомат о смене места жительства независимо от призывного периода
- 20:00 27.10.2025
- Было ошибкой позволить нелегитимному Зеленскому вести переговоры — Карлсон
- 19:50 27.10.2025
- Слуцкий не стал исключать вероятность встречи депутатов Госдумы с американскими конгрессменами
- 19:30 27.10.2025
- В Новгороде меняют правила избрания мэра
комментарии(0)