В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 17:40 23.01.2026
- Путин не исключил, что вместо глобального потепления будет похолодание
- 17:12 23.01.2026
- Охранник, подозреваемый в убийстве посетителя ТЦ в Петербурге, скрылся за границей
- 17:00 23.01.2026
- Профицит внешней торговли РФ в ноябре снизился до $6,8 млрд — ЦБ РФ
- 16:32 23.01.2026
- Россия не потеряет территории, а увеличит их к 2050 году, считает Пушилин
- 16:12 23.01.2026
- На Украине на одного новорожденного приходится трое умерших — мониторинговый сервис
- 16:00 23.01.2026
- Конституционный суд Болгарии утвердил заявление Радева об отставке с поста президента
- 15:32 23.01.2026
- Более 2 тыс. человек задержаны, 30 погибли в Уганде в ходе беспорядков после выборов
- 15:12 23.01.2026
- РФ передала Южной Осетии крупнейшую партию современного вооружения и техники
- 15:00 23.01.2026
- Маск возвращается в большую политику — WSJ
- 14:32 23.01.2026
- Считавшийся похищенным в Красноярске мальчик найден живым — СК
комментарии(0)