В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:00 07.03.2026
- Трамп пообещал дать Кубе «новую жизнь» после того, как США завершат операцию в Иране
- 20:30 07.03.2026
- Решения США по нефти из РФ и санкциям не определяют энергетическую политику Индии — власти
- 20:00 07.03.2026
- Разведка США полагала, что военная операция не приведет к смене власти в Иране — WP
- 19:30 07.03.2026
- Цены на бензин в США выросли за неделю на 14% — NYT
- 19:00 07.03.2026
- Право сильного заменило международное право, Сербия укрепляет оборону — Вучич
- 18:30 07.03.2026
- США надеются получить контроль над запасами нефти Ирана — Белый дом
- 18:00 07.03.2026
- Орбан заявил, что получил послание Зеленского и советует ему воздержаться от угроз
- 17:00 07.03.2026
- ВСУ за сутки потеряли в зоне СВО около 1 375 военнослужащих — МО РФ
- 16:00 07.03.2026
- Два человека ранены в результате стрельбы в Махачкале
- 15:00 07.03.2026
- Более 28,5 тыс. пассажиров прибыли в РФ с начала недели из стран Ближнего Востока
комментарии(0)