В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 24.04.2026
- Греция и Франция находятся в авангарде обсуждения стратегической автономии ЕС — Мицотакис
- 22:00 24.04.2026
- Живыми найдены три туриста, попавшие под лавину на горе Мунку-Сардык в Бурятии, один погиб
- 21:20 24.04.2026
- Макрон считает США ненадежным союзником
- 20:40 24.04.2026
- Почти 10% населения ЕС не имеют денег на оплату электроэнергии — Еврокомиссия
- 20:00 24.04.2026
- Иран не пойдет на уступки на переговорах с США — вице-президент исламской республики
- 19:20 24.04.2026
- Отношения РФ и КНР развиваются по верному пути — министр обороны КНР
- 18:40 24.04.2026
- Песков назвал новые заявления Туска в адрес РФ очередным проявлением русофобии
- 18:00 24.04.2026
- Сель сошел во двор многоквартирного дома в Сочи
- 17:32 24.04.2026
- Возврат инфляции к 4% будет гораздо быстрее, чем возврат человечества на Луну — Набиуллина
- 17:12 24.04.2026
- Число граждан РФ, получивших гражданство Грузии, в 2025 году сократилось более чем на 40%
комментарии(0)