В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 16:32 27.04.2026
- Заявления и шаги Брюсселя поощряют радикализм в Грузии — МИД
- 16:12 27.04.2026
- В РФ за 2 дня операции «Розыск» задержаны более 1,4 тыс. разыскиваемых
- 16:00 27.04.2026
- ВС РФ взяли под контроль Таратутино в Сумской области, Ильичовку в ДНР
- 15:32 27.04.2026
- ВСУ потеряли за сутки в зоне СВО около 1 145 военных
- 15:22 27.04.2026
- Нефтяники со всей России встретились на корпоративном фестивале ГТО
- 15:12 27.04.2026
- Путин назначил Игоря Чайку главой Россотрудничества
- 15:00 27.04.2026
- Путин поддержал идею отсрочить регионам погашение бюджетных кредитов с 2026 года
- 14:32 27.04.2026
- Трудности временны, а Россия вечна, заявил Путин
- 14:12 27.04.2026
- Около 200 деревьев упали из-за снегопада в Московском регионе
- 14:00 27.04.2026
- Цена нефти Brent на ICE превышала $108 за баррель
комментарии(0)