В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:00 12.02.2026
- Спикер парламента Киргизии Нурланбек Тургунбек уулу подал в отставку
- 20:50 12.02.2026
- Норвегия выделит $443,2 млн на военную помощь Украине и рассчитывает на «быстрый эффект»
- 20:24 12.02.2026
- В Москве открылся визовый центр Японии
- 19:30 12.02.2026
- Хуснуллин: На инфраструктуру Белгородской области идет беспрецедентная атака противника
- 18:45 12.02.2026
- Генсек НАТО считает, что военные нужды Украины приоритетны перед потребностями в восстановлении страны
- 17:40 12.02.2026
- Внешний долг РФ за 2025 г. вырос на $30 млрд — ЦБ
- 17:12 12.02.2026
- РФ рассматривает восстановление ж/д сообщения с Грузией через Абхазию — Оверчук
- 17:00 12.02.2026
- Великобритания объявила о срочном предоставлении Украине зенитных ракет
- 16:32 12.02.2026
- Мадуро невиновен и остается легитимным лидером Венесуэлы — уполномоченный президент
- 16:12 12.02.2026
- Все направления российско-индийских отношений продолжают развиваться — МИД Индии
комментарии(0)