В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 11:32 18.02.2026
- Никаких изменений тарифов ЖКХ с 1 января не проводилось — глава ФАС
- 11:20 18.02.2026
- Украина ввела санкции против Лукашенко
- 11:05 18.02.2026
- В 2025 году в России произошло на 13% меньше утечек данных — глава Минцифры
- 11:00 18.02.2026
- Россия и Иран с 1 апреля начнут реализацию ж/д линии Решт — Астара
- 10:38 18.02.2026
- СберИнвестиции запустили единый брокерский счет
- 10:32 18.02.2026
- В ЕС не нашли бюджетных денег до 2028 г. на поддержку граничащих с РФ регионов — Politico
- 10:20 18.02.2026
- ФСБ задержала 18-летнего жителя Челябинска, готовившего теракт
- 10:05 18.02.2026
- Товарооборот Японии и РФ в январе вырос на 14,65%, до $692 млн
- 10:00 18.02.2026
- Диктатуры в Европе хотят 20% населения, более 50% не довольны демократией — Politico
- 09:32 18.02.2026
- Средняя зарплата свыше 200 тыс. рублей зафиксирована уже в двух регионах — данные Росстата
комментарии(0)