В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:00 22.03.2026
- CENTCOM: Иран не сбил ни одного американского истребителя
- 20:30 22.03.2026
- Немецкие ультраправые не поддерживают идею единой армии ЕС и расширения НАТО
- 20:00 22.03.2026
- Остров свободы готовится к вероятному нападению США
- 19:50 22.03.2026
- Глава Минфина США оценил доходы РФ от снятии санкций с нефти в «один день бюджета России»
- 19:00 22.03.2026
- Трамп назвал нового «величайшего врага Америки»
- 18:38 22.03.2026
- Более десятка крупнейших автопроизводителей отказываются от планов производства электромобилей - FT
- 17:35 22.03.2026
- Если США атакуют электростанции, Тегеран закроет Ормузский пролив – центральный штаб ВС Ирана
- 17:01 22.03.2026
- Премьер Армении спустился в метро и там поспорил с пассажиркой из-за Карабаха
- 15:15 22.03.2026
- Из региона Персидского залива вышли последние танкеры со сжиженным газом - СМИ
- 12:45 22.03.2026
- Американский народ чтит память погибших при теракте в «Крокус сити холл» - Посольство США
комментарии(0)