В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 19:40 10.01.2026
- Ситуация с Венесуэлой и Гренландией заставила Канаду испугаться за свое будущее
- 19:10 10.01.2026
- Две европейские ядерные державы рискуют спровоцировать войну с РФ - Сийярто
- 18:10 10.01.2026
- Заявления Трампа шокировали премьера Дании - СМИ
- 17:20 10.01.2026
- К Юбилею маршрут «Золотое кольцо» расширят до 49 населенных пунктов
- 16:50 10.01.2026
- В Национальной портретной галерее в Вашингтоне появился портрет Трампа
- 16:20 10.01.2026
- В мессенджере Telegram наблюдаются сбои - пользователи РФ
- 15:35 10.01.2026
- За последние два часа столичные аэропорты обслужили 153 рейса
- 14:40 10.01.2026
- Размещение любого воинского контингента от ЕС или НАТО на Украине неприемлемо - Медведев
- 14:20 10.01.2026
- В Киеве остановлена работа водо- и теплоснабжения, не работает электротранспорт
- 13:40 10.01.2026
- Все граничения в аэропорту Шереметьево сняли
комментарии(0)