В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 11:05 02.12.2025
- Около 70% японцев одобряют курс на увеличение военной мощи страны — опрос
- 11:00 02.12.2025
- ВСУ потеряли свыше 23 тыс. солдат в Волчанске убитыми и ранеными — силовики
- 10:52 02.12.2025
- Сбер запустил аккредитив с отсрочкой платежа для российских импортеров из Индии
- 10:32 02.12.2025
- США лишили виз легальных мигрантов, которых сочли опасными для страны — Белый дом
- 10:20 02.12.2025
- США выступают за возвращение РФ активов после урегулирования на Украине — Politico
- 10:05 02.12.2025
- Экономика Германии оказалась выпотрошена санкциями против РФ — NI
- 10:00 02.12.2025
- Военным США нужно раскрыть данные об убийстве ими выживших после удара по катеру — сенатор
- 09:32 02.12.2025
- ЕЦБ не поддержит кредит Украине на €140 млрд за счет замороженных активов РФ — FT
- 09:20 02.12.2025
- Группировка «Восток» вошла в Гуляйполе, где уничтожает подразделения ВСУ — командующий
- 09:05 02.12.2025
- ВС РФ освободили Звановку, Васюковку и Петровское
комментарии(0)