В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 12:20 24.04.2026
- За 10 лет число людей, сталкивающихся с катастрофическим голодом, выросло в 9 раз — ООН
- 12:05 24.04.2026
- ЕС в ближайшие недели может начать переговоры о вступлении в него Украины — Bloomberg
- 12:00 24.04.2026
- США и Европа на саммите НАТО обсудят перераспределение ответственности — Стубб
- 11:44 24.04.2026
- 3,3 миллиона рублей за ужин и рост среднего чека на 9%: Сбер об итогах первого квартала в общепите
- 11:32 24.04.2026
- США при планировании ударов недооценили готовность Ирана перекрыть Ормузский пролив — CNN
- 11:20 24.04.2026
- Китай запустил аппарат для испытания спутникового интернета
- 11:08 24.04.2026
- СберУниверситет и «Школа 21» запускают «ГигаАкадемию»
- 11:05 24.04.2026
- США столкнулись с трудной дилеммой из-за расхода вооружений — NYT
- 11:00 24.04.2026
- Киев «тотально зачищает» территории, которые не может удержать — Мирошник
- 10:32 24.04.2026
- Китайские университеты возглавили рейтинг лучших вузов Азии
комментарии(0)