В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:30 16.04.2026
- Трамп: Если сделки с Ираном не будет, бои возобновятся
- 19:50 16.04.2026
- Министр обороны ФРГ решил ограничит использование мобильников сотрудниками ведомства
- 19:31 16.04.2026
- Предотвращена попытка покушения на жизнь президента Мадагаскара
- 19:05 16.04.2026
- Глава парламента Грузии: Если бы мы поверили Брюсселю, то сегодня были бы экономически уничтожены
- 17:40 16.04.2026
- Шойгу предупредил Прибалтику о праве РФ на самооборону в связи с ударами украинских БПЛА
- 17:12 16.04.2026
- США вывели силы со всех военных баз в Сирии, они переданы сирийскому правительству — МИД
- 17:00 16.04.2026
- Ночные заморозки и мокрый снег вернутся в Москву к концу недели
- 16:32 16.04.2026
- Король Нидерландов заявил о «принципиальных разногласиях» с США
- 16:12 16.04.2026
- Россияне в среднем считают допустимым самостоятельное пользование соцсетями с 15 лет
- 16:00 16.04.2026
- Потери ВСУ за сутки составили порядка 1 055 военнослужащих в зоне СВО
комментарии(0)