В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 14:45 23.02.2026
- Пока не заработает «Дружба», Венгрия будет блокировать решения ЕС по Украине
- 14:20 23.02.2026
- Из-за ограничений в аэропортах более 800 человек отправились из Нижнего Новгорода в Москву на автобусах
- 13:10 23.02.2026
- Дмитриев вновь посоветовал Стармеру уйти в отставку
- 12:10 23.02.2026
- Украина получит от ЕС 11 тыс. генераторов и 2,8 млрд евро на поставки энергии
- 11:40 23.02.2026
- Объем дефицита бюджета Украины составляет около $50 млрд - Азаров
- 10:20 23.02.2026
- От новых пошлин США больше всех пострадают Британия и ЕС - Дмитриев
- 10:10 23.02.2026
- В числе официальных профессий в РФ остались кучер, мельник, лифтер и ревизор
- 09:45 23.02.2026
- За выхдоные ЕС не добился прогресса по 20-му пакету санкций против РФ
- 09:30 23.02.2026
- Для борьбы со стрессом россияне чаще всего гуляют на свежем воздухе - опрос
- 09:00 23.02.2026
- СберИнвестиции: 87% женщин чувствуют большую уверенность рядом с успешным мужчиной-инвестором
комментарии(0)