В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:38 17.01.2026
- Трамп объявил о введении 10% тарифа на товары из 8 стран ЕС- членов НАТО с 1 февраля, которые выступили в защиту Гренландии
- 21:00 17.01.2026
- ЕС и «Меркосур» подписали соглашение о свободной торговле
- 20:30 17.01.2026
- Вступление Украины «взорвет» бюджет Евросоюза — СМИ
- 20:00 17.01.2026
- Турция должна отказаться от ряда необоснованных претензий к Греции — премьер
- 19:30 17.01.2026
- Трамп готовился нанести удар по Ирану, но изменил решение из-за множества возражений — WSJ
- 19:00 17.01.2026
- Расходы на развитие беспилотных систем в РФ равны около 30 млрд рублей в год — Силуанов
- 18:30 17.01.2026
- Три человека находятся в тяжелом состоянии после взрыва газа на Ставрополье
- 18:00 17.01.2026
- Армия Сирии объявила западный берег Евфрата закрытой военной зоной
- 17:00 17.01.2026
- Более 50 мечетей было сожжено в Иране за дни протестов — посольство в РФ
- 16:00 17.01.2026
- ФСБ предотвратила подготовку терактов в Хабаровском крае и КБР
комментарии(0)