В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 13:52 26.04.2026
- Орешкин: Ситуация на самом деле в экономике очень непростая...
- 13:24 26.04.2026
- Депутат правящей партии Японии выступил за возвращение отношений с РФ времен премьера Абэ
- 11:50 26.04.2026
- Дмитриев предсказывает ЕС «цунами энергетического кризиса» в ближайшее время
- 09:20 26.04.2026
- Из- за распространения ИИ, домашние задания в школах теряют смысл – глава Рособрнадзора
- 09:10 26.04.2026
- В аэропорту Нью-Дели при разгоне по полосе у самолета а/к Swiss отказал и загорелся двигатель
- 09:00 26.04.2026
- В отеле в Вашингтоне, где Трамп должен был выступать на мероприятии, произошла стрельба
- 21:00 25.04.2026
- Пентагон преуменьшает урон от ударов Ирана по базам США на Ближнем Востоке - СМИ
- 20:30 25.04.2026
- Пушилин сообщил, какая часть территории Донбасса остается под контролем ВСУ
- 20:08 25.04.2026
- У берегов Сомали пираты захватили танкер с нефтью
- 19:40 25.04.2026
- Президент США пока не думает о возобновлении ударов по Ирану - СМИ
комментарии(0)