В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 10:05 24.01.2024
- КНДР запустила несколько крылатых ракет в сторону Желтого моря — Рёнхап
- 09:32 24.01.2024
- Жители Николаева отмечают большие колонны техники ВСУ, идущие в сторону Херсонской области
- 09:05 24.01.2024
- Силы ПВО РФ перехватили 4 украинских дрона над Орловской областью
- 20:00 23.01.2024
- ВМФ РФ получит первый боевой ледокол «Иван Папанин» в этом году — главком
- 17:00 23.01.2024
- В подконтрольном Киеву городе Херсоне вновь слышны взрывы
- 14:32 23.01.2024
- ВС РФ нанесли удар высокоточным оружием по объектам ВПК Украины
- 13:00 23.01.2024
- Удар ВС РФ по Киеву и Харькову нельзя считать ответом на удар ВСУ по Донецку — Песков
- 12:32 23.01.2024
- НАТО подписала контракт на $1,2 млрд на закупку боеприпасов калибра 155 мм
- 12:05 23.01.2024
- Белгородскую область атаковали более десяти украинских беспилотников за сутки
- 10:20 23.01.2024
- В Белоруссии началась штабная тренировка Вооруженных сил — Минобороны
комментарии(0)