В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 17:40 30.04.2026
- Пожар начался уже на третьем военном полигоне в Нидерландах — ТВ
- 17:12 30.04.2026
- В Москве задержаны двое россиян за акции устрашения против четырех руководителей РКН — ФСБ
- 17:00 30.04.2026
- Мост на Сахалин — это дорого, но сделать его нужно, отметил Путин
- 16:32 30.04.2026
- США нет места в будущем региона Персидского залива — Хаменеи
- 16:12 30.04.2026
- Лукашенко призвал остановить приток населения в Минск, где идет «бешеная» стройка жилья
- 16:00 30.04.2026
- В состав ВМФ России вошел новейший морской тральщик «Полярный»
- 15:32 30.04.2026
- Песков заявил, что сокращение ВВП РФ является ожидаемым процессом
- 15:12 30.04.2026
- Мадьяр требует расширить права венгров на Украине до диалога о вступлении в ЕС — Bloomberg
- 15:00 30.04.2026
- Премьер-министр Словакии не видит перспективы завершения конфликта на Украине
- 14:50 30.04.2026
- Сбер и Академия цифрового развития договорились о совместной работе над образовательными проектами
комментарии(0)