В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
НОВОСТИ
- 09:30 06.09.2025
- В России число преступлений, связанных со взятками выросло почти на 30% за 7 месяцев этого года – МВД РФ
- 09:10 06.09.2025
- В Москве в сентябре установится длительный период теплой погоды - Вильфанд
- 09:00 06.09.2025
- На саммит G20 в ЮАР Трамп не поедет
- 22:46 05.09.2025
- Собянин: Реконструкция Киностудии Горького выходит на финишную прямую
- 22:45 05.09.2025
- США хотят переключиться с противодействия КНР и РФ на континентальную оборону - СМИ
- 22:32 05.09.2025
- Выставка Русского музея на ВДНХ продлится до 1 февраля 2026 года — Собянин
- 22:05 05.09.2025
- «Роснефть» участвует в фестивале «Лето в Москве»
- 20:15 05.09.2025
- Конфискация суверенных активов РФ может подорвать доверие к евро - МИД Бельгии
- 18:45 05.09.2025
- Мошенники рассылают пенсионерам сообщения якобы от Пенсионного фонда РФ
- 17:40 05.09.2025
- Мошенники будут использовать Max, как и другие мессенджеры — Песков
комментарии(0)