В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 20:20 13.02.2026
- Набиуллина считает, что маркетплейсы способствуют снижению инфляции
- 19:20 13.02.2026
- Для пропаганды среди молодежи ЕС использует радио - эксперт
- 18:45 13.02.2026
- Канада и Дания подписали соглашение об укреплении военного сотрудничества
- 17:40 13.02.2026
- Европейцев не будет на переговорах по Украине в Женеве — Песков
- 17:20 13.02.2026
- Совместный кампус Центра имени В. А. Алмазова и «Школы 21» открывает новые возможности для медиков
- 17:12 13.02.2026
- Россия с начала 2026 года увеличила импорт огурцов на 18,3%
- 17:01 13.02.2026
- Лидерство «Роснефти» в области устойчивого развития подтвердили сразу несколько рейтинговых агентств
- 17:00 13.02.2026
- Мерц заявил о расколе в отношениях США и Европы
- 16:32 13.02.2026
- Молдавия из-за нехватки населения привлечет мигрантов из Индии и Бангладеш — Минэкономики
- 16:12 13.02.2026
- Украина теряет более 1 млн человек в год — демограф
комментарии(0)