В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 19.09.2025
- Еще 10 афтершоков зафиксировано на Камчатке за два часа
- 22:00 19.09.2025
- Келлог заявил, что Европе следует готовиться к поддержке Украины без США
- 21:20 19.09.2025
- На Украине зарегистрировано 28,7 млн жителей
- 21:01 19.09.2025
- Более 60 улиц и набережных перекроют для проведения Московского марафона 20-21 сентября
- 20:40 19.09.2025
- Трамп заявил, что достиг с Си Цзиньпином прогресса по теме торговли, украинского кризиса
- 20:00 19.09.2025
- В МОК подтвердили, что россияне не примут участия в командных турнирах Олимпиады
- 19:20 19.09.2025
- СВО пройдет, но востребованность в современной армии останется — Путин
- 18:40 19.09.2025
- СБ ООН отклонил резолюцию о невозобновлении санкций против Ирана
- 18:00 19.09.2025
- Франция и ФРГ опасаются гнева администрации Трампа в случае признания Палестины — Politico
- 17:32 19.09.2025
- Польша начнет открывать границу с Белоруссией 20 сентября — СМИ
комментарии(0)