В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 16:32 17.03.2026
- Три вековых температурных рекорда побиты в марте в Москве
- 16:12 17.03.2026
- Российские силы рассекли группировку ВСУ к югу от Константиновки — Кимаковский
- 16:00 17.03.2026
- РФ готова оказать всю посильную помощь Кубе — Песков
- 15:52 17.03.2026
- Сбер второй год подряд поддержит все 24 предмета Всероссийской олимпиады школьников
- 15:32 17.03.2026
- Военное сопровождение в Ормузском проливе реанимирует судоходство лишь на 10% — The Times
- 15:12 17.03.2026
- В 2025 г. почти в 4 раза увеличились воздушные атаки Киева на инфраструктуру РФ — Шойгу
- 15:00 17.03.2026
- ВСУ за сутки потеряли около 1 240 военных в зоне СВО
- 14:32 17.03.2026
- ВС РФ взяли под контроль населенные пункты Сопычь и Каленики — МО РФ
- 14:12 17.03.2026
- Темп развития средств поражения у соперника такой, что любой регион РФ под угрозой — Шойгу
- 14:00 17.03.2026
- Токаев подписал новую конституцию Казахстана и указ о мерах по ее реализации
комментарии(0)