В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:25 13.05.2026
- Стармер решил не покидать поста премьера Великобритании и готов за него бороться - СМИ
- 20:45 13.05.2026
- Генсек НАТО предложил странам альянса «раскошелиться» в пользу Украины в размере 0,25% ВВП
- 20:15 13.05.2026
- Киргизия отказала Западу в требовании закрыть ряд банков
- 20:00 13.05.2026
- Бюджетное управление Конгресса США оценило проект ПРО «Золотой купол»
- 19:55 13.05.2026
- Путин азначил врио губернаторов Брянской и Белгородской областей
- 19:19 13.05.2026
- Для борьбы с фейками ограничат распространение данных о терактах в Москве
- 17:44 13.05.2026
- Словакия закрыла по соображениям безопасности погранпереходы с Украиной - СМИ
- 17:20 13.05.2026
- Собянин: Московские волонтеры собрали тысячи подарков бойцам СВО ко Дню Победы
- 17:12 13.05.2026
- В РФ объявлен в розыск бывший министр обороны Великобритании Бен Уоллес
- 17:07 13.05.2026
- Собянин наградил лучших медицинских сестер, фельдшеров и акушерок
комментарии(0)