В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 23:00 16.12.2025
- Ученые США сообщили, что температура воздуха в Арктике за год стала самой высокой с 1900 года
- 22:25 16.12.2025
- У журналистов из недружественных стран на «Итогах года» будет возможность задать вопрос так же, как и у всех - Песков
- 20:11 16.12.2025
- Информацию об итогах переговоров Украины, США и ЕС Россия не получала - Песков
- 19:41 16.12.2025
- ГигаЧат сдал экзамены на бакалавра в РАНХиГС по двум направлениям
- 19:40 16.12.2025
- Сбер запустил сервис «Плати частями» на биометрических терминалах банка
- 19:32 16.12.2025
- ВС РФ разъяснил решение по делу о продаже квартиры певицы Ларисы Долиной
- 17:48 16.12.2025
- Верховный суд отправил дело о споре вокруг продажи квартиры Долиной на новое рассмотрение
- 17:18 16.12.2025
- Киноальманах Сбера «Россия, я люблю тебя» теперь доступен на Okko
- 17:12 16.12.2025
- Мирное урегулирование на Украине зависит от готовности Киева уступить территории — Стубб
- 17:00 16.12.2025
- Франция сократила на треть помощь Африке в 2025 году и уменьшит ее в 2026-м — журнал
комментарии(0)