В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 12:20 19.01.2026
- Глава нидерландской партии призвал «убрать руки от полиции» после беспорядков в Гааге
- 12:05 19.01.2026
- Польша поможет Литве в строительстве полигона в Сувалкском коридоре
- 12:00 19.01.2026
- Военные США покинули Ирак, кроме Курдистана - власти
- 11:32 19.01.2026
- В ночь на среду ожидаются исключительно сильные полярные сияния на всей территории РФ
- 11:20 19.01.2026
- Число жертв схода с рельсов двух поездов в Испании возросло до 39 — EFE
- 11:05 19.01.2026
- Токаев получил от Трампа приглашение войти в «Совет мира» по Газе и согласился
- 11:00 19.01.2026
- Население Китая в 2025 году сократилось на 3,39 млн человек
- 10:32 19.01.2026
- Порядка 70% высылаемых нелегалов в США были осуждены за насильственные преступления — МВБ
- 10:20 19.01.2026
- ЕС готов принять решительные меры против Трампа из-за Гренландии — Politico
- 10:05 19.01.2026
- Верховный суд РФ намерен вернуть кассацию на решения мировых судей в регионы — Краснов
комментарии(0)