В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 14:34 14.03.2026
- Макрон: Ливан заявил о своей готовности к прямым переговорам с Израилем
- 13:13 14.03.2026
- Министр энергетики США распорядился возобновить добычу нефти у берегов Калифорнии
- 12:00 14.03.2026
- Визит премьера Израиля в Россию остается в планах – посол Одед Йосеф
- 11:15 14.03.2026
- ГигаЧат стал экспертом в фешен-индустрии
- 09:50 14.03.2026
- По приказу «Укрэнерго» в Киеве введены экстренные отключения электроэнергии
- 09:20 14.03.2026
- Российская нефть мировому рынку сейчас просто необходима - Песков
- 09:15 14.03.2026
- Морпехи США из Японии отправлены на Ближний Восток, возможно, для захвата иранских островов - эскперт
- 09:10 14.03.2026
- Температура воздуха в Москве может опуститься с +14С днем до -2С ночью - синоптики
- 09:00 14.03.2026
- За информацию об иранских руководителях Госдеп США предлагает награду в 10 млн долл
- 08:54 14.03.2026
- Более 80 показов пройдут в рамках VI Московской недели моды
комментарии(0)