В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 20:00 13.12.2025
- В Париже задержали мигранта, который зажег дымовую шашку на могиле Неизвестного солдата
- 19:30 13.12.2025
- Легкомоторный самолет разбился в подмосковном Серпухове, один человек пострадал
- 19:00 13.12.2025
- Лукашенко помиловал более 100 граждан различных стран
- 18:30 13.12.2025
- До 70% бюджета ООН уходит на бюрократические издержки, считают в постпредстве США в Женеве
- 18:00 13.12.2025
- США снимают санкции с белорусского калия, заявил спецпосланник Вашингтона
- 17:00 13.12.2025
- Эрдоган назвал успешными переговоры с Путиным в Ашхабаде
- 16:00 13.12.2025
- ЗАЭС оказалась отрезана от внешнего электропитания в ночь на субботу — МАГАТЭ
- 15:00 13.12.2025
- ВСУ за сутки потеряли в зоне СВО около 1 355 солдат
- 14:00 13.12.2025
- Украина решила ликвидировать интернациональные легионы
- 13:00 13.12.2025
- ВС РФ нанесли массированный удар по предприятиям ВПК Украины
комментарии(0)