В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 12:32 05.02.2026
- Индия открыта для любых вариантов поставок нефти, в том числе из Венесуэлы — МИД
- 12:20 05.02.2026
- США выделили на Балтийскую оборонную инициативу $200 млн — МИД Литвы
- 12:05 05.02.2026
- Таможня в Петербурге пресекла вывоз в Великобританию фрагмент метеорита весом 2,5 т
- 12:00 05.02.2026
- Минобрнауки РФ сократило 13% платных мест в российских вузах
- 11:32 05.02.2026
- Российский хакер, работавший на Украину, осужден на 16 лет за госизмену
- 11:20 05.02.2026
- Трамп заявил, что США «говорят с Кубой»
- 11:05 05.02.2026
- Артиллерия ВСУ атаковала приграничные районы Курской области 16 раз за прошедшие сутки
- 11:00 05.02.2026
- Маск запустил Starlink в Таджикистане
- 10:32 05.02.2026
- В РФ нужно к 2030 г. заменить или модернизировать 70 тыс. лифтов — Файзуллин
- 10:20 05.02.2026
- Британия может назвать Стармера советским шпионом, чтобы убрать его с должности — Дмитриев
комментарии(0)