В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 11:15 15.02.2026
- Председатель КНР заявил о необходимости борьбы с истощающей конкуренцией в стране
- 10:50 15.02.2026
- Северная Европа хочет проложить оптоволоконный кабель в Америку через Северный полюс
- 10:30 15.02.2026
- Мэр Киева рассказал СМИ, что город находится на грани катастрофы
- 09:30 15.02.2026
- Поддельное приложение VPN мошенники распространяют через мессенджеры - МВД
- 09:00 15.02.2026
- Сикорский рассказал, почему европейцы заслуживают место за столом переговоров по Украине
- 21:00 14.02.2026
- США отказываются давать гарантии безопасности Украине до подписания мира — Зеленский
- 20:30 14.02.2026
- Рубио утверждает, что Индия «обязалась» не закупать нефть в России
- 20:00 14.02.2026
- Венгрия не позволит лишить ее права вето в ЕС — Орбан
- 19:30 14.02.2026
- Британия направит авианосную ударную группу на Крайний Север — Стармер
- 19:00 14.02.2026
- Многие в мире считают, что эпоха доминирования США подошла к концу — Рубио
комментарии(0)