В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 06.03.2026
- МИД Ирана сообщил, что они больше не ведут переговоры с США
- 20:40 06.03.2026
- Слуцкий считает, что ядерная истерия нарастает в ЕС на фоне русофобской паранойи
- 19:25 06.03.2026
- В Вене открылась выставка "Феномен русской женщины"
- 18:40 06.03.2026
- В США уровень безработицы вырос до 4,4%
- 17:40 06.03.2026
- Трамп заявил, что не примет иные договоренности с Ираном, кроме безоговорочной капитуляции
- 17:12 06.03.2026
- Испанский министр заявил, что его страна не может согласиться с ролью вассала
- 17:00 06.03.2026
- Цена нефти Brent на бирже ICE превысила $90 за баррель
- 16:32 06.03.2026
- США не смогут обеспечивать ракетами одновременно соседей Ирана и Украину - Кубилюс
- 16:12 06.03.2026
- 30% погибших в результате ударов США и Израиля по Ирану — дети, заявил иранский кабмин
- 16:00 06.03.2026
- США не хотят признавать, что не управляют всем миром — Карлсон
комментарии(0)