В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 21:30 16.01.2026
- В субботу в Майами пройдут перегоры США и Украины - посол
- 20:40 16.01.2026
- В РФ готов к выходу на линии первый в беспилотный поезд метро
- 19:40 16.01.2026
- Проект нового аэровокзального комплекса в аэропорту Горно-Алтайск получил одобрение Главгосэкспертизы
- 19:35 16.01.2026
- В Херсонской области подорвалась на минах «Лепесток» машина скорой помощи
- 17:50 16.01.2026
- Расходы бюджета РФ на нацпроекты на 1 января составили 5,96 трлн руб. — Минфин
- 17:12 16.01.2026
- Стоимость фьючерсов на драгметаллы демонстрирует снижение
- 17:00 16.01.2026
- Учебно-имитационную гранату в центре МВД в Сыктывкаре привел в действие преподаватель — СК
- 16:32 16.01.2026
- Контракт с ВС РФ в 2025 году заключили более 422 тыс. человек — Медведев
- 16:12 16.01.2026
- Около 80% немцев считают, что политика Трампа угрожает существованию НАТО — опрос
- 16:00 16.01.2026
- Оппоненты не видят «Орешник» в Белоруссии из-за оперативной маскировки — Совбез республики
комментарии(0)