В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 13:32 06.02.2026
- Военачальники и специалисты находятся под угрозой во время войны — Песков
- 13:30 06.02.2026
- На РБК стартует научно-популярный проект «ГигаНаука»
- 13:12 06.02.2026
- Мощный взрыв произошел на обратной стороне Солнца — ученые
- 13:00 06.02.2026
- ВС РФ освободили Поповку в Сумской области — МО РФ
- 12:32 06.02.2026
- Суд отправил под арест девочку, напавшую на сверстников в школе Красноярска
- 12:20 06.02.2026
- ОБСЕ должна быть готова в случае прекращения огня на Украине — председатель
- 12:05 06.02.2026
- Стубб назвал шумом утверждения о якобы возможной агрессии РФ против НАТО
- 12:00 06.02.2026
- Министр экономики Армении выступил за привлечение новых инвестиций из России
- 11:32 06.02.2026
- Больше половины поляков не считают США надежным союзником — опрос
- 11:25 06.02.2026
- Курорт Манжерок увеличил зону катания до 81 километра в зимнем сезоне 2026
комментарии(0)