В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 20:45 19.03.2026
- Угрозы для поставок нефти в Европу представители ЕК и ЕС не усматривают
- 19:52 19.03.2026
- Зеленский хочет получить «уже сейчас» миллиарды евро от ЕС на энергетику
- 18:35 19.03.2026
- Америка снимает санкции с некоторых белорусских компаний и банков
- 17:40 19.03.2026
- ГП РФ проверит, «не отсиживаются ли в тылу» ушедшие на СВО осужденные за коррупцию
- 17:35 19.03.2026
- Число проверок бизнеса должно быть оптимальным и учитывать права потребителей — Путин
- 17:30 19.03.2026
- Число вовлеченных в террористическую деятельность иностранцев выросло втрое — Гуцан
- 17:20 19.03.2026
- Прокуратура в этом году даст оценку защищенности критически важных объектов — Гуцан
- 17:15 19.03.2026
- Лидеры ЕС отменили пресс-конференцию с Зеленским в Брюсселе
- 17:12 19.03.2026
- По искам прокуратуры в 2025 году государству передано имущество на 4 трлн руб. — Гуцан
- 17:05 19.03.2026
- Число коррупционных преступлений выросло на 12,3%, отметил Путин
комментарии(0)