В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:45 03.04.2026
- Из-за роста цен Париж запросил проверку нефтеперерабатывающих заводов в ЕС
- 22:30 03.04.2026
- Белорусские каналы БелТА, СТВ и ОНТ удалены с YouTube
- 22:10 03.04.2026
- На фоне роста цен лидер нидерландских правых призвал сократить помощь Киеву
- 20:45 03.04.2026
- Запад прикрывает Киев от международной ответственности за преступления - Мирошник
- 19:30 03.04.2026
- Европе нужна отмена запрета на нефть и газ из РФ, а не советы Брюсселя - Сийярто
- 19:10 03.04.2026
- На военный бюджет Белый дом запросил у Конгресса $1,5 трлн
- 18:30 03.04.2026
- Правнук Льва Толстого получил российское гражданство
- 18:10 03.04.2026
- Переход РФ к расчетам в нацвалютах с СНГ, ЕАЭС и Китаем почти завершен - Оверчук
- 16:40 03.04.2026
- В Печатниках появился новый культурно-спортивный центр, заявил мэр Москвы
- 16:32 03.04.2026
- В Чечне паводком повреждено 30 мостов
комментарии(0)