В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 23:53 22.01.2026
- Президент России проводит встречу с делегацией посланников президента США
- 22:52 22.01.2026
- Самолет спецпредставителя президента США Стивена Уиткоффа приземлился во Внуково
- 21:00 22.01.2026
- Цена фьючерса на золото обновила исторический максимум
- 20:30 22.01.2026
- Первый в мире закон о безопасном ИИ вступил в силу в Южной Корее
- 20:15 22.01.2026
- Орбан: Главным препятствием для мира [на Украине] является Европа
- 18:16 22.01.2026
- Трамп назвал «великолепной» идею Рейгана о создании системы ПРО
- 17:59 22.01.2026
- В Сбере рассказали, как бизнесу оценить финансовую эффективность ИИ-проектов
- 17:58 22.01.2026
- Сбер: Искусственный интеллект – это ассистент, а не замена сотрудника
- 17:57 22.01.2026
- В Сбере рассказали, как бизнесу внедрять искусственный интеллект
- 17:40 22.01.2026
- ВМС Франции задержали в Средиземном море танкер, следовавший из РФ — Макрон
комментарии(0)