В Китае создали прототип самой быстрой флеш-памяти в мире — Синьхуа
12:05 17.04.2025 Источник: Информационное агентство России "ТАСС"
Китайские исследователи из Фуданьского университета представили прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Об этом сообщило агентство Синьхуа.
«Используя алгоритмы искусственного интеллекта для оптимизации условий тестирования, мы значительно продвинули эту технологию и открыли путь для ее будущего применения», — передает агентство слова руководителя проекта Чжоу Пэн из Фуданьского университета.
Разработка получила название PoX и построена на основе графенового канала с двумерной структурой Дирака. По данным исследователей, это устройство превзошло даже самые быстрые типы оперативной памяти, такие как DRAM и SRAM, которые сохраняют один бит данных за 1-10 наносекунд. Поскольку PoX сохраняет данные без питания, он сочетает энергоэффективность флеш-памяти с недостижимой ранее скоростью.
Комментарии отключены - материал старше 3 дней
Новости
- 22:40 30.04.2025
- Тарифы на электроэнергию для россиян с июля вырастут на 12,6%, через год — на 9,3%
- 22:00 30.04.2025
- Годовая инфляция в РФ в марте ускорилась до 10,34%
- 21:20 30.04.2025
- Железнодорожный вокзал Донецка, не принимавший поезда с 2014 года, заработает с 9 мая
- 20:40 30.04.2025
- Путин не против подумать над переименованием Волгограда в Сталинград
- 20:00 30.04.2025
- В Европе используют террористические группировки в геостратегических целях — Шойгу
- 19:20 30.04.2025
- РСФСР больше всех положила на алтарь Победы, заявил Путин
- 18:40 30.04.2025
- МУС невозможно реформировать, лучше «прикрыть эту лавочку» — бывший эксперт СПЧ ООН
- 18:00 30.04.2025
- Трамп утверждает, что спад в экономике США связан с политикой Байдена
- 17:32 30.04.2025
- С 2026 года использование семян из РФ станет условием гранта на семеноводство — Мишустин
- 17:12 30.04.2025
- Новая военная помощь США Украине будет считаться взносом в совместный инвестфонд — Шмыгаль
комментарии(0)